Etsa AI203 atau Ain Keramik DBC Substrat

Substrat DBC (Tembaga Ikatan Langsung) adalah papan proses khusus di mana foil tembaga terikat langsung ke permukaan (sisi atau dua sisi) dari dan AI203 atau substrat keramik AIN pada suhu tinggi dan dapat diukir dengan berbagai grafik. Ini memiliki kinerja isolasi listrik yang sangat baik, konduktivitas termal yang tinggi, kemampuan lunak yang sangat baik, kekuatan adhesi tinggi dan kapasitas pembawa arus yang besar. Substrat DBC terutama digunakan di bidang transit kereta api, jaringan pintar, kendaraan energi baru, konversi frekuensi industri, peralatan rumah tangga, elektronik tenaga militer, pembangkit listrik tenaga angin dan fotovoltaik.

Kami custom high precision dbc substrat dengan gambar yang disediakan oleh pelanggan. Bahan baku yang kami gunakan untuk substrat DBC terukir adalah laminasi berlapis tembaga dua sisi berbasis keramik. Kami dilengkapi dengan peralatan etsa logam profesional dan peralatan pengembangan paparan. Proses etsa kami dapat mencapai etsa dua sisi dari grafik yang berbeda dengan ketebalan 0,3 mm - 0,8mm dari laminasi berlapis tembaga. Juga, kami dapat menjamin bahwa substrat laminasi gandum tembaga dua sisi kami diatur dengan rapi, garis permukaan lurus, dan tidak memiliki duri, akurasi produk tinggi.

Keunggulan substrat DBC adalah sebagai berikut:

1. Substrat keramik dengan koefisien ekspansi termal yang dekat dengan chip silikon, yang menghemat lapisan transisi chip MO, menghemat tenaga, material dan biaya.

2. Konduktivitas termal yang sangat baik, membuat paket chip sangat kompak, sehingga sangat meningkatkan kepadatan daya dan meningkatkan keandalan sistem dan perangkat.

3. Sejumlah besar tegangan tinggi, perangkat berdaya tinggi memiliki persyaratan tinggi untuk disipasi panas, dan substrat keramik memiliki efek disipasi panas yang lebih baik.

4. Substrat keramik ultra-tipis (0,25mm) dapat menggantikan BEO, tanpa masalah toksisitas lingkungan.

5. Kapasitas tercatat arus besar, 100A arus kontinu melalui bodi tembaga tebal 0,3mm, kenaikan suhu sekitar 17 ℃; 100a arus kontinu melalui bodi tembaga tebal 0.3mm lebar, kenaikan suhu hanya sekitar 5 ℃.

6. Insulasi Tinggi menahan tegangan, untuk memastikan keselamatan dan perlindungan peralatan pribadi

7. Metode kemasan dan perakitan baru dapat direalisasikan, menghasilkan produk yang sangat terintegrasi dan ukurannya

8. Substrat keramik sangat tahan terhadap getaran dan keausan, memastikan umurnya yang panjang.

Di bawah ini adalah parameter spesifik dari produk ini, pewati pekor lebih banyak pembawa chip semikonduktor di situs web kami untuk lebih banyak ide.

Kapasitas Produksi: Jarak Minimum: 0,5 mm-1.2mm Korosi samping: 0 mm-0.3mm